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我國電子鋁箔技術發(fā)展的新趨勢

2010-11-09 19:25:30 作者: 來源: 我要評論0

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  我國的鋁電解電容器發(fā)展也很快,據統(tǒng)計,1997年產量約為150億只,估計近期可能已超過200億只。從我國電子行業(yè)的發(fā)展狀況看,近幾年鋁電解電容器的產量還會有較大的提高。目前我國電解電容器用鋁箔一部分用國產箔,還有相當一部分依賴進口。為了改變這種局面,國內廠家,在國產化方面做了許多工作。前不久西南鋁電解電容器用高壓鋁箔研究項目開發(fā)成功,產品質量達到國際先進水平,已完全可以代替進口。應該說,經過10多年發(fā)展,特別是最近五六年來,我國電子鋁箔的質量已有了很大提高。

  電解電容器中用的鋁箔屬于電子鋁箔的范疇,這是一種在極性條件下工作的腐蝕材料。不同極性的電子鋁箔要求有不同的腐蝕類型。高壓陽極箔為柱孔狀腐蝕,低壓陽極箔為海綿狀腐蝕,中壓段的陽極箔為蟲蛀狀腐蝕。

  20世紀80年代以前,電解電容器大都是沿用手工化學腐蝕,80年代之后采用聯(lián)動電化學腐蝕。手工腐蝕用的鋁箔純度較低(99.3%~99.7%),對鋁箔加工質量的要求也不高。聯(lián)動電化學腐蝕要求鋁箔的純度越來越高,對鋁箔的加工質量也要求越來越精。從鋁的純度而言,20世紀80年代鋁純度為99.99%,迄今鋁純度已達99.993%。這是電極箔的要求,也是鋁加工行業(yè)的技術在進步。

  鋁箔純度提高,當然對電極箔質量提高帶來好的影響,但另一方面是成本在提高。與此同時,腐蝕介質也在不斷變化,有的介質濃度提高,有的介質類型在變化,這些都對環(huán)保工作不利,導致生產企業(yè)環(huán)保任務繁重,由此可能會要求鋁的純度有所降低。從日本鋁箔的最新成分分析中,發(fā)現(xiàn)已有這方面的趨勢。

  腐蝕化成箔質量的提高與鋁光箔質量的進步是分不開的,從日本的專利來看,負極箔的專利高峰期為20世紀80年代,陽極箔的專利高峰期有兩個:一個高峰約在1977~1978年,另一個高峰期在1983年左右。這些專利高峰期說明技術在飛速進步。

  從世界范圍看,電子鋁箔發(fā)展的趨勢大致如下:

  高壓陽極箔

  高壓陽極箔可以分成兩類,一類是優(yōu)質高壓箔;一類是普通高壓箔。

  優(yōu)質高壓陽極箔特點是“二高一薄”,即高純、高立方織構和薄的表面氧化膜。這類產品質量上乘,但成本高。鋁純度>99.99%,立方織構96%。真空熱處理在10-3pa~10-5Pa條件下進行。

  普通高壓陽極箔是一種經濟實用的高壓陽極箔,鋁純度>99.98%,立方織構>92%,真空熱處理在10-1pa~10-2pa條件下進行。

  低壓陽極箔

  低壓陽極箔的工藝比較復雜,我們認為不可能采用一種方法來滿足各段電壓的要求,大致可以劃分如下。

  小于35Vf的低壓箔,應發(fā)展硬態(tài)高純鋁箔的腐蝕,特點是硬態(tài)可以提供數量多的腐蝕細小核心和腐蝕通道,至于直流腐蝕和交流腐蝕哪一種電源好些需要研究。業(yè)內人士認為該法的比容較之軟態(tài)法的可以提高5μF/cm2。

  大于50Vf的低壓箔,軟態(tài)高純鋁箔提供了諸多晶面位向差的條件,可以獲得蝕孔較大的腐蝕箔。

  負極箔

  負極箔也有軟態(tài)和硬態(tài)之分。日本以軟態(tài)電化學腐蝕為主,西歐以硬態(tài)化學腐蝕為主。兩者各有其優(yōu)缺點,軟態(tài)用純度高的鋁箔(>99.85%),無銅,質量優(yōu),成本高;硬態(tài)用的是純度低的含銅的鋁箔,成本低,比容易于提高。為了發(fā)展靜電容量適中,成本低的無銅或低銅的負極箔,可以用AL-Fe、AL-Mg等合金。其中高純低銅鋁箔,以高純鋁為基添加微量銅作為腐蝕核心,比容可與高純軟態(tài)電化學腐蝕方法的鋁箔相媲美,因其成本低廉,應該會贏得市場歡迎。

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